Feldeffekttransistoren (MOSFET) München, Nürnberg und Bayern

...): Ultrakondensatoren | Zellen | Module - YEC: Superkondensatoren für PCB - Silver Micro: IGBT Module | MOSFET Module | SiC Module - Techsem: Dioden Module | Thyristor Module | Diskrete | Leistungshalbleiter | Brückengleichrichter - GeneSiC: SiC | MOSFETs | Schottky Dioden | Gleichrichter | Module - Kerafol: Wärmeleitfolien | Grafitfolien | Wärmeleitpasten | Gap Filler | Wärmeleitkleber | Klebebänder...

... Steuerungssystemen. Unser Portfolio umfasst Bipolartransistoren, Feldeffekttransistoren (FETs), sowie spezialisierte Transistorvarianten wie Leistungstransistoren und Hochfrequenztransistoren. Diese sind in verschiedenen Gehäusetypen und Konfigurationen verfügbar, um eine breite Palette von Schaltungsdesigns zu unterstützen. Egal ob Sie eine hohe Schaltgeschwindigkeit, niedrige Leistungsaufnahme oder...

... geliefert. Die Relaisausgänge sind vom Rest der Empfangselektronik getrennt und isoliert ausgeführt. Jeder Ausgang ist für 5 A ausgelegt. Das Anschlussverhalten lässt sich einstellen (Ruhestellung offen oder geschlossen, gemeinsame Anschlusspunkte). G5-M19 Der Empfänger G5-M19 hat 19 MOSFET-Ausgänge, von denen 14 als Digitaleingänge konfigurierbar sind. Jeder Ausgang ist für 3 A ausgelegt. Die...

... Anwendung. Bei der Auswahl der Nennspannung empfehlen wir eine Sicherheitsspanne von mindestens 5 % für MOSFET-Schalter und mindestens 20 % für alle bipolaren Schalter (IGBT, MCT, SCR), um das Risiko einer Beschädigung durch unerwartete Spannungsschwankungen oder unerwartete Rückschlagspannungen zu minimieren. Die Langzeitzuverlässigkeit bzw. die Mean Time Between Failures (MTBF) eines...

...Funktionelle Redundanz zielt darauf ab, sicherheitstechnische Systeme mehrfach parallel auszulegen, damit - beim Ausfall einer Komponente - die anderen den ungestörten Dienst gewährleisten. Deshalb werden redundante Stromversorgungen durch Dioden oder p-Kanal-Power-MOSFETs voneinander im Ausgang entkoppelt. Alle QUEL-Einzelspannungsgeräte sind für den redundanten Betrieb einsetzbar. Je nach...

...Die High/Low-Level-Statuseingangseinheit KST2.4S und die Ausgangseinheit KSR2.4 sind z. B. für den Start/Stopp von Antriebsanlagen und die Überwachung von High/Low-Pegeländerungen geeignet. Sie enthalten das Funkmodul NK-2.4Y, ein Output-Photo-MOSFET und LEDs zur Kommunikationsüberwachung. Dank Frequenzsprungverfahren lassen sich mit diesen Funkeinheiten mehrere Systeme in einem Gebiet ohne Kanalmanagement gleichzeitig überwachen. Hamming-Distanz 6 und CRC-16 Fehlererkennung sorgen für eine zuverlässige Kommunikation.

...-Quelle mit geringem Klirrfaktor Ionenstrahl-Ablenkung Ansteuern von Elektronenröhren Technische Daten der Leistungsverstärker von Krohn-Hite Rauscharme Vorverstärker Die selektiven Vorverstärker ermöglichen eine hohe Eingangsverstärkung bis 1 Megahertz basierend auf einem rauscharmen FET-Instrumentenverstärker. Jedes Modell bietet vorwählbare Verstärker-Settings für Bandbreiten von 100 Hz bis...

... Schalters Lastkreis Lastausgang Power-MOSFET-Schaltausgang (plusschaltend) Laststrom Warnlimit t (IWLimit) Hysterese typ. 0,8 x IN typ. 5% Überlastabschaltung (ÜL) typ. 1,2 x IN (1,05...1,35 x IN) (siehe Zeit/Strom-Kennlinie) Kurzschlussstrom IK aktive Strombegrenzung mit IKS = typ. 2,5 x IN , 1 A typ. 1,4 x IN, 2 A -10 A (siehe Zeit/Strom-Kennlinie...

... internen Pull-Up Widerstand 10 kOhm bis +5 V Option 1: Eingang 2 ersetzt mit SCL Signal Steuerausgang MOSFET auf GND geschaltet, 0,3 R, max. 32 V, max. 1 A Option 1: Ausgang 2 ersetzt mit SDA Signal Sonstiges Schnittstelle RS232 / RS485: 19200 Bd, 8D, 1S, N Optokoppler isoliert Temperaturbereich Anwendung: 10 °C - 30 °C (bei freiem Luftzug) Lagerung: 5 °C - 50 °C Abmessungen 105 mm x 126 mm x 45 mm (3HE, 9TE) Gewicht 350 g Garantie 12 Monate...

...Somit entstehen keine weiteren Kosten für teure Zusätze. Die Maschine benötigt sehr wenig Platz. Besonderheiten / Eigenschaften - leistungsstarker Generator mit modernster MOS-FET Technik - programmierbare Bohrtiefe, autom. Verschleißkompensation - große und gut lesbare Anzeige der X, Y - stabile, massive Konstruktion, stark verrippter Gusskörper - geschliffene und geschabte Führungen in...

... Niederspannungs-SBDs und planaren SBDs von 10 A bis 40 A, 45 V bis 200 V MOSFETs Niederspannungs-T-MOSFETs (30 V bis 650 V) Planare MOSFETs (250 V bis 1.500 V) DP-MOSFETs (600 V bis 800 V) Transiente Spannungsunterdrücker (TVS) 1-Kanal-TVS, bidirektionale TVS, 4-Kanal-TVS (3,3 V und 5 V) Fast Recovery Dioden (FRD) Große Auswahl an FRDs 60 A, 300 V 10 A, 400 V 10 A bis 75 A, 600 V...

... Wünschen. Seit 2023 ist die Marke DSI Eigentum der Solicomp GmbH. Leistung ab Lager: Dioden Germanium & Silizium Transistoren Thyristoren (TRIAC, DIAC, SIDAC) Brückengleichrichter Darlington Transistoren Unijunction Transistoren MOS-Feldeffekt Transistoren Zener- und Suppressordioden Axial- und Schraubdioden...

...Preise in €/Stck. zzgl. MwSt. ab 100 Stck € 6,25 ab 50 Stck € 7,14 ab 25 Stck € 7,75 ab 10 Stck € 9,30 ab 5 Stck € 10,40 12 Volt 24 Volt Schaltmodul SMT_2_SV          Schaltmodul Schaltmodul mit MOSFET Transistor, Schaltleistung max. 24V 4A (kurzzeitig 7A), Betriebsspannung von 7 bis 24V, für z.B. Power LEDs, LED Lampen, Gleichstrommotoren oder andere Verbraucher. Spannungsversorgung über DC...

"Der Geschäftsbereich Vishay ESTA ist einer der wenigen Hersteller, die ein komplettes Programm an Leistungskondensatoren anbietet. Diese Bauteile zur Oberwellenreduzierung, Energieeinsparung und Spannungsstabilisierung sind äußerst zuverlässig und umweltfreundlich und können auch unter härtesten Bedingungen eingesetzt werden. Vishay ESTA-Leistungskondensatoren eignen sich für eine Vielzahl von An...

Unser Sortiment beinhaltet aktive- und passive Bauelemete, wie z.B. Mikrocontroller, analoge- und digitale Schaltungen, MOSFET, Kondensatoren, Schalter und Wortuhr Bausätze.