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Ihr Wafer in guten Händen Dieses Verfahren beschreibt die Präzisionsbearbeitung mittels mechanischem Trennschleifen (Sägen / DICING) von Wafern und Substraten aus Keramik, Silizium, Glas, Germanium, Saphir, COB-Leiterplatten oder Metallfolien mit extrem guter Kantenqualität. Wir bieten Ihnen die Nutzenbearbeitung durch vollständiges Durchtrennen des vorab gemounteten (aufgeklebten) Werkstücks auf Trägerfolie, die Herstellung von Gehrungsschnitten, die reine Oberflächenbearbeitung durch Einbringen von Nuten und Kerben, Kreisschnitte zum Verkleinern des Wafers sowie das Trimmen zur Verbesserung der Kantenqualität. Wir bearbeiten Al2O3, AlN, LTCC sowie poly- oder monokristallines Silizium – ebenso Borosilikat, Float- oder Quarzglas jeweils mit oder ohne optischen Vergütungsschichten oder bereits bedruckten oder besputterten Funktionsschichten. Je nach Einbaubedingungen und Anwendungszweck kann sich eine Kombination aus Laser- und Dicing-Bearbeitung als sinnvoll und nützlich erweisen. Geliefert werden können die vereinzelten Wafer und Substrate auf Folie belassen, in 2“ oder 4“ Wafflepacks, bereits gegurtet oder in Transportbehältnissen Ihrer Wahl. Weitere Details finden Sie auf unserem Datenblatt. Anwendungsbeispiele • Masken, Blenden und Schablonen • Nutzensubstrate, Netzwerke, Hybride • Keramikeinzelbauteile Verfügbare Materialien • Keramik, Glas, Silizium • Buntmetalle PDF-Link: https://www.lcpgmbh.de/fileadmin/user_upload/Downloads/Datenblaetter/DE/03_LCP_DB_Wafer_Dicing_Grooving_dt.pdf