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Wir fräsen Ihre Teile individuell und speziell nach Ihren Anforderungen, dabei kann es sich um Einzelstücke oder große Stückzahlen handeln. • Bearbeiten von unterschiedlichsten Materialien und Werkstoffen • Fertigung von Kleinserien bis hin zu Serienstückzahlen • Hohe Passgenauigkeit • Große Auswahl an Materialien und Werkstoffen Unsere modernen Werkzeugmaschinen ermöglichen Ihnen die Anfertigung von Einzelteilen oder gar große Stückzahlen. Bei Anwendungstechnischen Fragen freuen wir uns über Ihre Kontaktaufnahme.

SiC-MOSFET-Modul, Phaseleg-Konfiguration, Ic=300A@80°C, Vces=1200V, flaches (niedriginduktives) 62mm-Gehäuse, Hersteller Starpower

Unser Produktpalette umfasst unter anderem Solarium-Lampen und Strahler.

Bequemer Aufstieg dank 60° Neigungswinkel ,Rutschfeste schwenkbare Gelenkfüße ,kurzer Haken zum Aufstieg ,inkl. beidseitigem Handlauf (Ausstiegshandlauf als Option wählbar) Die Montage des Handlaufes muß vor Ort vom Kunden vorgenommen werden. Geprüft nach EN131 & TÜV GS Stufen: 560 x 150 mm Stufenanzahl: 6 Länge (A1): 1750 mm Länge (A2): 2750 mm Ausladung (B): 1050 mm Tragkraft: max. 150 kg Gewicht: 13,00 kg Artikelnummer: ES1521

Doppel-Diodenmodul im TO-240-Gehäuse, Phaseleg-Konfiguration, ITAV=120A@100°C, Vrrm/Vdrm=1600V, Hersteller IXYS/Littelfuse, kann uneingeschränkt die Module MDD95-08N1B, MCC95-12N1B und MCC95-14N1B ersetzen.

IGBT-Modul, Phaseleg-Konfiguration, Trench-Technologie, Ic=100A@100°C, Vces=1200V, 34mm-Gehäuse, Hersteller Starpower

IGBT-Modul, Phaseleg-Konfiguration, Trench-Technologie, Ic=75A@100°C, Vces=1200V, 34mm-Gehäuse, Hersteller Starpower

IGBT-Modul, Phaseleg-Konfiguration, Trench-Technologie, Ic=450A@100°C, Vces=1200V, 62mm-Gehäuse, Hersteller Starpower

IGBT-Modul GD100HFY120C1S, Phaseleg-Konfiguration, NPT-Ultrafast-Technologie, Ic=100A@100°C, Vces=1200V, 34mm-Gehäuse, Hersteller Starpower

IGBT-Modul GD100HFY120C1S, Phaseleg-Konfiguration, NPT-Ultrafast-Technologie, Ic=150A@80°C, Vces=1200V, 62mm-Gehäuse, Hersteller Starpower

FRED-Doppeldiode, parallel, im SOT-227-Gehäuse, Ifav=2x91A@50°C, Vrrm=1200V, trr=40ns, Hersteller IXYS/Littelfuse

Siliziumkarbid-MOSFET im SOT-227-Gehäuse, Ids=68A@25°C, Vdss=1200V, Hersteller IXYS/Littelfuse

IGBT-Modul, Einzelschalter, NPT-Ultrafast-Technologie, Ic=400A@80°C, Vces=1200V, 62mm-Gehäuse, Hersteller Starpower

IGBT-Modul, Phaseleg-Konfiguration, Trench-Technologie, Ic=200A@100°C, Vces=1200V, 62mm-Gehäuse, Hersteller Starpower

FRED-Doppeldiode, parallel, im SOT-227-Gehäuse, Ifav=2x123A@70°C, Vrrm=200V, trr=35ns, Hersteller IXYS/Littelfuse

Doppel-Thyristormodul, Phaseleg-Konfiguration, ITAV=500A@85°C, Vrrm/Vdrm=1800V, Hersteller IXYS/Littelfuse, kann uneingeschränkt die Module MCC501-12io2 und MCC501-14io2 ersetzen.