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RF-Dämpfungsglieder Mit Honeywell’s patentierter SOI-CMOS-Technologie sind die RF-Dämpfungsglieder durch geringen Einfügungsverlust und hohe Performance gekennzeichnet. Sie bieten eine einzigartige Kombination aus geringem Energieverbrauch wegen der CMOS-Technologie mit exaktem Dämpfungsverhalten und einem GHz-Frequenz-Bereich eines GaAs-Produkts. Wir bieten RF-Dämpfungsglieder in serieller und paralleler Architektur in kleinen, platzsparenden 4 x 4 mm QFN-Packungen. Besondere Eigenschaften der Honeywell RF-Dämpfungsglieder sind die geringen Einfügungsverluste, schnelle Bereitschaft nach dem Schaltvorgang und exakte Dämpfung des RF-Amplitude bei serieller oder paralleler Schnittstelle.